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PXP020-20QXJ
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, Surface Mount
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.450 | $ 1.45 |
| Total Preço | $ 1.45 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.450 |
| 10+ | $ 0.918 |
| 25+ | $ 0.816 |
| 50+ | $ 0.716 |
| 100+ | $ 0.614 |
| 250+ | $ 0.550 |
| 500+ | $ 0.483 |
| 1000+ | $ 0.441 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePXP020-20QXJCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AJ0327RL
Segmento de fita57AJ0327
Gama de produtosTrench
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StyleMLPAK33
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation Pd1.8W
Power Dissipation1.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Case Style
MLPAK33
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
1.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
Trench
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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