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PSMN1R7-40YLDX
MOSFET, N-CH, 40V, 200A, 175DEG C, 194W
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FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePSMN1R7-40YLDXCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida39AH0945RL
Segmento de fita39AH0945
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8,639 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.270 | $ 4.27 |
| Total Preço | $ 4.27 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.270 |
| 10+ | $ 2.730 |
| 25+ | $ 2.430 |
| 50+ | $ 2.140 |
| 100+ | $ 1.840 |
| 250+ | $ 1.650 |
| 500+ | $ 1.470 |
| 1000+ | $ 1.330 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePSMN1R7-40YLDXCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida39AH0945RL
Segmento de fita39AH0945
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id200A
On Resistance Rds(on)0.0015ohm
Drain Source On State Resistance1500µohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd194W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation194W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0015ohm
Transistor Case Style
SOT-669
Power Dissipation Pd
194W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
1500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
194W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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