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PSMN1R1-40BS,118
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 120 A, 0.0013 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePSMN1R1-40BS,118Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6011
Rodo à Medida05W5712RL
Segmento de fita05W5712
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 7.550 | $ 7.55 |
| Total Preço | $ 7.55 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.550 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 2.680 |
| 1600+ | $ 2.590 |
| 3200+ | $ 2.500 |
| 4800+ | $ 2.470 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePSMN1R1-40BS,118Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6011
Rodo à Medida05W5712RL
Segmento de fita05W5712
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id120A
On Resistance Rds(on)0.00116ohm
Drain Source On State Resistance0.0013ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd306W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation306W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The PSMN1R1-40BS is a N-channel MOSFET suitable for standard level gate drive sources. It is designed and qualified for use in a wide range of load switching, server power supplies, DC-to-DC converters and domestic equipment applications.
- High efficiency due to low switching and conduction losses
- -55 to 175°C Junction temperature range
Aplicações
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
0.0013ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
306W
Power Dissipation
306W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.00116ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para PSMN1R1-40BS,118
4 produtos encontrados
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto