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PSMN1R0-30YLC,115
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.00115 ohm, SOT-669, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePSMN1R0-30YLC,115Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6010
Rodo à Medida55T6966RL
Segmento de fita55T6966
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.470 | $ 4.47 |
| Total Preço | $ 4.47 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.470 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1500+ | $ 1.710 |
| 3000+ | $ 1.660 |
| 6000+ | $ 1.600 |
| 9000+ | $ 1.570 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePSMN1R0-30YLC,115Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6010
Rodo à Medida55T6966RL
Segmento de fita55T6966
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)850µohm
Drain Source On State Resistance0.00115ohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd137W
Gate Source Threshold Voltage Max1.41V
Power Dissipation137W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The PSMN1R0-30YLC is a N-channel enhancement-mode logic level MOSFET optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection, load switching, power O-ring, server power supplies, sync rectifier and domestic equipment applications.
- Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads
- Ultra-low RDS (ON) and low parasitic inductance
- -55 to 175°C Junction temperature range
Aplicações
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.00115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
137W
Power Dissipation
137W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
850µohm
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.41V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para PSMN1R0-30YLC,115
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto