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PMV45EN2R
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5.1 A, 35 mohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMV45EN2RCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5982
Rodo à Medida44AC2810RL
Segmento de fita44AC2810
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.702 | $ 0.70 |
| Total Preço | $ 0.70 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.702 |
| 10+ | $ 0.437 |
| 25+ | $ 0.386 |
| 50+ | $ 0.333 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.142 |
| 6000+ | $ 0.135 |
| 12000+ | $ 0.128 |
| 18000+ | $ 0.119 |
| 30000+ | $ 0.110 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMV45EN2RCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5982
Rodo à Medida44AC2810RL
Segmento de fita44AC2810
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.1A
Drain Source On State Resistance0.042ohm
On Resistance Rds(on)0.035ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd510mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation510mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
PMV45EN2R is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, switching circuits.
- Logic level compatible, very fast switching
- Drain-source breakdown voltage is 30V min at ID = 250µA; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Gate-source threshold voltage is 1.5V typ at ID = 250µA; VDS=VGS; Tj = 25°C
- Drain leakage current is 1µA max at VDS = 30V; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 35mohm typ at VGS = 10V; ID = 4.1A; Tj = 25°C
- Source-drain voltage is 0.8V typ at IS = 1A; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Rise time is 12ns typ at VDS = 15 V; ID = 3.2A; VGS = 10V;RG(ext) = 6ohm; Tj = 25°C
- Fall time is 2ns typ at VDS = 15 V; ID = 3.2A; VGS = 10V;RG(ext) = 6ohm; Tj = 25°C
- Ambient temperature range from -55°C to +150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.042ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.1A
On Resistance Rds(on)
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
510mW
Power Dissipation
510mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto