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PMV30XPAR
MOSFET, P-CH, 20V, 4.9A, 175DEG C, 0.61W
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FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMV30XPARCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rodo à Medida54AH3567RL
Segmento de fita54AH3567
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.784 | $ 3.92 |
| Total Preço | $ 3.92 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.784 |
| 15+ | $ 0.488 |
| 25+ | $ 0.478 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMV30XPARCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rodo à Medida54AH3567RL
Segmento de fita54AH3567
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.9A
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd610mW
Rds(on) Test Voltage8V
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation610mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
610mW
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.9A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
8V
Power Dissipation
610mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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