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PMPB55ENEAX
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, SOT-1220-6
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FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMPB55ENEAXCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rodo à Medida65AC3938RL
Segmento de fita65AC3938
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.777 | $ 3.89 |
| Total Preço | $ 3.89 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.777 |
| 15+ | $ 0.499 |
| 25+ | $ 0.489 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMPB55ENEAXCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rodo à Medida65AC3938RL
Segmento de fita65AC3938
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id4A
On Resistance Rds(on)0.042ohm
Drain Source On State Resistance0.042ohm
Transistor Case StyleSOT-1220
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.65W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation1.65W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.042ohm
Transistor Case Style
SOT-1220
Power Dissipation Pd
1.65W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
0.042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.65W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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