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PMPB16R5XNEX
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 7 A, 0.0165 ohm, DFN2020M, Surface Mount
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.566 | $ 0.57 |
| Total Preço | $ 0.57 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.566 |
| 50+ | $ 0.376 |
| 100+ | $ 0.257 |
| 250+ | $ 0.226 |
| 500+ | $ 0.195 |
| 1000+ | $ 0.157 |
| 2500+ | $ 0.154 |
| 5000+ | $ 0.151 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMPB16R5XNEXCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark
Rodo à Medida32AJ8627RL
Segmento de fita32AJ8627
Gama de produtosTrench
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source On State Resistance0.0165ohm
On Resistance Rds(on)0.0165ohm
Transistor Case StyleDFN2020M
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max650mV
Power Dissipation1.7W
Power Dissipation Pd1.7W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0165ohm
Transistor Case Style
DFN2020M
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.7W
No. of Pins
6Pins
Product Range
Trench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7A
On Resistance Rds(on)
0.0165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
650mV
Power Dissipation Pd
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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