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PMDPB30XN,115
MOSFET, DUAL N-CH, 20V, DFN2020
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FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMDPB30XN,115Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark84W8053
Seu número de peça
Disponível para encomenda
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.070 |
| 10+ | $ 0.655 |
| 100+ | $ 0.420 |
| 500+ | $ 0.318 |
| 1000+ | $ 0.284 |
| 2500+ | $ 0.278 |
| 10000+ | $ 0.273 |
| 25000+ | $ 0.267 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 5
Vários: 5
$ 5.35
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMDPB30XN,115Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark84W8053
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id5.3A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel5.3A
Continuous Drain Current Id P Channel5.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.04ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-1118
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.17W
Power Dissipation P Channel1.17W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.17W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
5.3A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.04ohm
Transistor Case Style
SOT-1118
Power Dissipation N Channel
1.17W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto