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PMCPB5530X,115
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.026 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMCPB5530X,115Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark84W8052
Seu número de peça
Disponível para encomenda
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.370 |
| 10+ | $ 0.871 |
| 100+ | $ 0.580 |
| 500+ | $ 0.454 |
| 1000+ | $ 0.413 |
| 2500+ | $ 0.405 |
| 10000+ | $ 0.396 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 5
Vários: 5
$ 6.85
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMCPB5530X,115Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark84W8052
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id5.3A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel5.3A
Continuous Drain Current Id P Channel5.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.026ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.026ohm
Transistor Case StyleSOT-1118
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.17W
Power Dissipation P Channel1.17W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The PMCPB5530X is a N/P-channel complementary enhancement-mode FET in a small and leadless ultra thin surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for DC-to-DC converters and small brushless DC motor drive applications.
- Very fast switching characteristics
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.026ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.17W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
5.3A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.026ohm
Transistor Case Style
SOT-1118
Power Dissipation N Channel
1.17W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto