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PMBF170,215
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 300 mA, 5 ohm, TO-236AB, Surface Mount
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FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMBF170,215Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rolo completo97W2505
Rodo à Medida96K5160RL
Segmento de fita96K5160
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.544 | $ 0.54 |
| Total Preço | $ 0.54 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.544 |
| 10+ | $ 0.336 |
| 25+ | $ 0.296 |
| 50+ | $ 0.253 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.084 |
| 6000+ | $ 0.079 |
| 12000+ | $ 0.074 |
| 18000+ | $ 0.068 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePMBF170,215Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rolo completo97W2505
Rodo à Medida96K5160RL
Segmento de fita96K5160
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id300mA
On Resistance Rds(on)2.8ohm
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd830mW
Power Dissipation830mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The PMBF170,215 is a N-channel enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS™ 1 technology. It is suitable for use in relay driver, high speed line driver and logic level translator applications.
- Very fast switching
- Logic level compatible
- Subminiature surface-mount package
- -65 to 150°C Operating junction temperature range
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
2.8ohm
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
830mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300mA
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto