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PHB21N06LT,118
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 19 A, 70 mohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.560 | $ 1.56 |
| Total Preço | $ 1.56 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.560 |
| 50+ | $ 0.789 |
| 100+ | $ 0.715 |
| 250+ | $ 0.701 |
| 500+ | $ 0.686 |
| 1000+ | $ 0.672 |
| 2500+ | $ 0.658 |
| 5000+ | $ 0.644 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricantePHB21N06LT,118Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rodo à Medida74AH1097RL
Segmento de fita74AH1097
Gama de produtosTrenchMOS
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance70mohm
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation56W
Power Dissipation Pd56W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchMOS
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
70mohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
56W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
56W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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