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NXV90EPR
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.5 A, 0.12 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.787 | $ 0.79 |
| Total Preço | $ 0.79 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.787 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.142 |
| 6000+ | $ 0.133 |
| 12000+ | $ 0.126 |
| 18000+ | $ 0.119 |
| 30000+ | $ 0.109 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteNXV90EPRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5894
Rodo à Medida21AJ6678RL
Segmento de fita21AJ6678
Gama de produtosTrench
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.5A
On Resistance Rds(on)0.098ohm
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation340mW
Power Dissipation Pd340mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.098ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
340mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
Trench
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.5A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation Pd
340mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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