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NXV65UPR
MOSFET, P-CH, 20V, 2.1A, SOT-23
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.420 | $ 2.10 |
| Total Preço | $ 2.10 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.420 |
| 15+ | $ 0.267 |
| 25+ | $ 0.262 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.104 |
| 9000+ | $ 0.092 |
| 15000+ | $ 0.090 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteNXV65UPRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5892
Rodo à Medida21AJ6676RL
Segmento de fita21AJ6676
Gama de produtosTrench
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.1A
Drain Source On State Resistance0.055ohm
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation340mW
Power Dissipation Pd340mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
340mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
Trench
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.1A
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
Power Dissipation Pd
340mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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