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NX7002AKW,115
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 170 mA, 4.5 ohm, SOT-323, Surface Mount
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FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteNX7002AKW,115Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark43W6131
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteNX7002AKW,115Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark43W6131
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id170mA
Drain Source On State Resistance4.5ohm
On Resistance Rds(on)3ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd220mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation220mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The NX7002AKW is a N-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, low-side load-switch, high-speed line driver and switching circuit applications.
- Very fast switching
- ESD protected
- -55 to 150°C Junction temperature range
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
On Resistance Rds(on)
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
220mW
Power Dissipation
220mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
4.5ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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