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NX3020NAKW,115
MOSFET Transistor, N Channel, 180 mA, 30 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.2 V RoHS Compliant: Yes
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.350 |
| 10+ | $ 0.214 |
| 100+ | $ 0.133 |
| 500+ | $ 0.096 |
| 1000+ | $ 0.086 |
| 2500+ | $ 0.068 |
| 12000+ | $ 0.051 |
| 27000+ | $ 0.047 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 5
Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteNX3020NAKW,115Cópia
Código Newark84W8034
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id180mA
On Resistance Rds(on)2.7ohm
Drain Source On State Resistance2.7ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd300mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
2.7ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
180mA
Drain Source On State Resistance
2.7ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
300mW
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos