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NX3008NBKS,115
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
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FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteNX3008NBKS,115Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK7650
Rodo à Medida75T7842RL
Segmento de fita75T7842
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.617 | $ 3.08 |
| Total Preço | $ 3.08 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.617 |
| 50+ | $ 0.379 |
| 100+ | $ 0.238 |
| 250+ | $ 0.208 |
| 500+ | $ 0.177 |
| 1000+ | $ 0.156 |
| 2500+ | $ 0.153 |
| 5000+ | $ 0.150 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.131 |
| 6000+ | $ 0.124 |
| 12000+ | $ 0.117 |
| 18000+ | $ 0.109 |
| 30000+ | $ 0.100 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteNX3008NBKS,115Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK7650
Rodo à Medida75T7842RL
Segmento de fita75T7842
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id350mA
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel350mA
Continuous Drain Current Id P Channel350mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel445mW
Power Dissipation P Channel445mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The NX3008NBKS is a dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a surface mounted device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Suitable for high-speed line driver and low-side loadswitch.
- Very fast switching
- Low threshold voltage
- Up to 2kV ESD protection
- AEC-Q101 Qualified
Aplicações
Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
350mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
445mW
Product Range
-
MSL
-
Continuous Drain Current Id
350mA
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
350mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
445mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto