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BUK6D22-30EX
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 7.2 A, 0.022 ohm, DFN2020MD, Surface Mount
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FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteBUK6D22-30EXCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rodo à Medida07AH3638RL
Segmento de fita07AH3638
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.510 | $ 7.55 |
| Total Preço | $ 7.55 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.510 |
| 10+ | $ 0.928 |
| 25+ | $ 0.816 |
| 50+ | $ 0.705 |
| 100+ | $ 0.593 |
| 250+ | $ 0.521 |
| 500+ | $ 0.449 |
| 1000+ | $ 0.403 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteBUK6D22-30EXCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rodo à Medida07AH3638RL
Segmento de fita07AH3638
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.2A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleDFN2020MD
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
BUK6D22-30EX is a 30V, N-channel trench MOSFET. It is used in applications such as relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, switching circuits.
- Side wettable flanks for optical solder inspection
- Electro static discharge (ESD) protection <gt/> 2kV HBM (class H2)
- Trench MOSFET technology, AEC-Q101 qualified
- Drain-source breakdown voltage is 30V min at (ID = 250µA; VGS = 0V; Tj = 25°C)
- Drain leakage current is 1µA max at (VDS = 30V; VGS = 0V; Tj = 25°C)
- Gate resistance is 2ohm typical at (f = 1MHz)
- Input capacitance is 440pF typ at (VDS = 15V; f = 1MHz; VGS = 0V; Tj = 25°C)
- Rise time is 18ns typ at (VDS = 15V; ID = 7.2A; VGS = 10V; RG(ext) = 6ohm; Tj = 25°C)
- Fall time is 7ns typ at (VDS = 15V; ID = 7.2A; VGS = 10V; RG(ext) = 6ohm; Tj = 25°C)
- Ambient temperature range from -55°C to 175°C, SOT1220 package
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.2A
Transistor Case Style
DFN2020MD
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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