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BSS138P 215.
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 360 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.045 |
| 9000+ | $ 0.042 |
| 15000+ | $ 0.038 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 135.00
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteBSS138P 215.Cópia
Código Newark14AC8648
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id360mA
On Resistance Rds(on)0.9ohm
Drain Source On State Resistance0.9ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd350mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
350mW
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
360mA
Drain Source On State Resistance
0.9ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para BSS138P 215.
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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