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BSS138BKS,115
MOSFET, N-CH, 60V, 0.32A, SOT-363-6
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteBSS138BKS,115Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante89 semanas
Código Newark
Rolo completo97AK5950
Rodo à Medida82AC9974RL
Segmento de fita82AC9974
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.566 | $ 2.83 |
| Total Preço | $ 2.83 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.566 |
| 50+ | $ 0.349 |
| 100+ | $ 0.218 |
| 250+ | $ 0.190 |
| 500+ | $ 0.162 |
| 1000+ | $ 0.143 |
| 2500+ | $ 0.140 |
| 5000+ | $ 0.137 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.119 |
| 6000+ | $ 0.112 |
| 12000+ | $ 0.105 |
| 18000+ | $ 0.098 |
| 30000+ | $ 0.089 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteBSS138BKS,115Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante89 semanas
Código Newark
Rolo completo97AK5950
Rodo à Medida82AC9974RL
Segmento de fita82AC9974
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id320mA
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id N Channel320mA
Continuous Drain Current Id P Channel320mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.6ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel280mW
Power Dissipation P Channel280mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
320mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.6ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
280mW
Product Range
-
MSL
-
Continuous Drain Current Id
320mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
320mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.6ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
280mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto