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BSH103BKR
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 1 A, 0.27 ohm, SOT-23, Surface Mount
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.744 | $ 0.74 |
| Total Preço | $ 0.74 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.744 |
| 10+ | $ 0.464 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.160 |
| 6000+ | $ 0.151 |
| 12000+ | $ 0.142 |
| 18000+ | $ 0.131 |
| 30000+ | $ 0.120 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteBSH103BKRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4488
Rodo à Medida32AJ0260RL
Segmento de fita32AJ0260
Gama de produtosTrench
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1A
On Resistance Rds(on)0.23ohm
Drain Source On State Resistance0.27ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd480mW
Power Dissipation480mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
BSH103BKR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Low threshold voltage, very fast switching
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM
- Drain-source voltage is 30V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 12V maximum
- Drain current is 1A max at VGS = 4.5V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is 4A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 330mW max at Tamb = 25°C
- Source current is 0.4A max at Tamb = 25°C
- Total gate charge is 0.8nC typ at VDS = 15V; ID = 1A; VGS = 4.5V; Tj = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.23ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
480mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
Trench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
480mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto