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BC847AQBZ
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 54 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.227 | $ 1.14 |
| Total Preço | $ 1.14 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.227 |
| 15+ | $ 0.142 |
| 25+ | $ 0.139 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteBC847AQBZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rodo à Medida54AH2907RL
Segmento de fita54AH2907
Gama de produtosBC847xQB
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max45V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo45V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation Pd420mW
Power Dissipation420mW
DC Collector Current100mA
Transistor Case StyleDFN1110D
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE110hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min110hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeBC847xQB
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
45V
Power Dissipation Pd
420mW
DC Collector Current
100mA
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
110hFE
Product Range
BC847xQB
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max
45V
Continuous Collector Current
100mA
Power Dissipation
420mW
Transistor Case Style
DFN1110D
DC Current Gain hFE
110hFE
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto