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2N7002P,215
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 360 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricante2N7002P,215Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rolo completo97W3383
Rodo à Medida28T0307
Segmento de fita28T0307
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.434 | $ 0.43 |
| Total Preço | $ 0.43 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.434 |
| 10+ | $ 0.266 |
| 25+ | $ 0.232 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.085 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricante2N7002P,215Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rolo completo97W3383
Rodo à Medida28T0307
Segmento de fita28T0307
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id360mA
On Resistance Rds(on)1ohm
Drain Source On State Resistance1.6ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd420mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.75V
Power Dissipation420mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The 2N7002P,215 is a N-channel enhancement-mode MOSFET designed in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuits.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- AEC-Q101 qualified
Aplicações
Automotive, Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
360mA
Drain Source On State Resistance
1.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
420mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
1ohm
Transistor Case Style
TO-236AB
Power Dissipation Pd
420mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (4)
Alternativas para 2N7002P,215
3 produtos encontrados
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
