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2N7002BKV,115
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 340 mA, 1 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricante2N7002BKV,115Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK7915
Rodo à Medida28T0306RL
Segmento de fita28T0306
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.707 | $ 3.53 |
| Total Preço | $ 3.53 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.707 |
| 50+ | $ 0.444 |
| 100+ | $ 0.291 |
| 250+ | $ 0.257 |
| 500+ | $ 0.223 |
| 1000+ | $ 0.199 |
| 2500+ | $ 0.180 |
| 5000+ | $ 0.165 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4000+ | $ 0.152 |
| 8000+ | $ 0.144 |
| 16000+ | $ 0.137 |
| 24000+ | $ 0.128 |
| 40000+ | $ 0.119 |
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricante2N7002BKV,115Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK7915
Rodo à Medida28T0306RL
Segmento de fita28T0306
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id340mA
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel340mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-666
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel525mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The 2N7002BKV is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
340mA
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
340mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-666
Power Dissipation N Channel
525mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto