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BC141-16
TRANS BJT SINGLE, NPN, 60V, 1A
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FabricanteMULTICOMP PRO
Nº da peça do fabricanteBC141-16Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark96K6826
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.840 |
| 10+ | $ 0.688 |
| 50+ | $ 0.526 |
| 100+ | $ 0.465 |
| 500+ | $ 0.442 |
| 1000+ | $ 0.381 |
| 5000+ | $ 0.351 |
| 10000+ | $ 0.336 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteMULTICOMP PRO
Nº da peça do fabricanteBC141-16Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark96K6826
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max60V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo60V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation800mW
Power Dissipation Pd800mW
DC Collector Current1A
Transistor Case StyleTO-39
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE30hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency50MHz
DC Current Gain hFE Min30hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The BC141-16 from Multicomp Pro are through hole, NPN medium power, silicon planar epitaxial transistors in TO-39 metal can package. This device is used for switching and amplification.
- Collector emitter voltage (Vce) of 60V
- Continuous collector current (Ic) of 1A
- Power dissipation of 800mW
- Operating junction temperature range from -65°C to 200°C
- Collector emitter saturation voltage of 1V at Ic=1A
- DC current gain of 40 at Ic=100mA
- Multicomp Pro products are rated 4.6 out of 5 stars
- 12 month limited warranty *view Terms & Conditions for details
- 96% of customers would recommend to a friend
Aplicações
Signal Processing, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
60V
Power Dissipation
800mW
DC Collector Current
1A
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
60V
Continuous Collector Current
1A
Power Dissipation Pd
800mW
Transistor Case Style
TO-39
DC Current Gain hFE
30hFE
Transition Frequency
50MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
