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CM300DX-24S
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 300 A, 1.2 kV, 2.27 kW, 150 °C
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![MITSUBISHI ELECTRIC CM300DX-24S IGBT Module, Dual [Half Bridge], 300 A, 1.2 kV, 2.27 kW, 150 °C](https://www.newark.com/productimages/standard/en_US/4704694.jpg)
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
Nº da peça do fabricanteCM300DX-24SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark73R7446
Gama de produtosNX- Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 30 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 10+ | $ 164.240 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 10
Vários: 1
$ 1,642.40
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Informação do produto
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
Nº da peça do fabricanteCM300DX-24SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark73R7446
Gama de produtosNX- Series
Ficha técnica
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current300A
DC Collector Current300A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage1.2kV
Power Dissipation2.27kW
Power Dissipation Pd2.27kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case Style-
IGBT TerminationTab
No. of Pins11Pins
IGBT TechnologyIGBT 6
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product RangeNX- Series
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
The CM300DX-24S is a dual IGBTMOD™ Module designed for use in switching applications. The NX-S series module consists of two IGBT transistors in a half-bridge configuration with each transistor having a reverse connected super-fast recovery free-wheel diode. All components and interconnects are isolated from the heat sinking base plate, offering simplified system assembly and thermal management.
- Low drive power
- Low collector-to-emitter saturation voltage
- Discrete super-fast recovery free-wheel diode
- Isolated base plate for easy heat sinking
Aplicações
Motor Drive & Control, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
300A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.2kV
Power Dissipation
2.27kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 6
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
300A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2kV
Power Dissipation Pd
2.27kW
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
-
No. of Pins
11Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
NX- Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto