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MT53E256M16D1DS-046 WT:B
DRAM, LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pins
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT53E256M16D1DS-046 WT:BCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark80AH8352
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 52 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 98.700 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1360
Vários: 1360
$ 134,232.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT53E256M16D1DS-046 WT:BCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark80AH8352
Ficha técnica
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density4Gbit
DRAM Density4Gbit
DRAM Memory Configuration256M x 16bit
Memory Configuration256M x 16bit
Clock Frequency Max2.133GHz
Clock Frequency2.133GHz
IC Case / PackageWFBGA
Memory Case StyleWFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
Access Time-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-30°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
DRAM Type
Mobile LPDDR4
DRAM Density
4Gbit
Memory Configuration
256M x 16bit
Clock Frequency
2.133GHz
Memory Case Style
WFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Memory Density
4Gbit
DRAM Memory Configuration
256M x 16bit
Clock Frequency Max
2.133GHz
IC Case / Package
WFBGA
No. of Pins
200Pins
Access Time
-
Operating Temperature Min
-30°C
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto