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MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J
Flash Memory, NAND with Mobile LPDDR, 4 Gbit, 512M x 8bit, Parallel, WFBGA, 149 Pins
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87JCópia
Código Newark80AH7854
Gama de produtos1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
Seu número de peça
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87JCópia
Código Newark80AH7854
Gama de produtos1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
Ficha técnica
Flash Memory TypeNAND with Mobile LPDDR
Memory Density4Gbit
Memory Size4Gbit
Memory Configuration512M x 8bit
Flash Memory Configuration512M x 8bit
IC Interface TypeParallel
InterfacesParallel
IC Case / PackageWFBGA
Memory Case StyleWFBGA
No. of Pins149Pins
Clock Frequency Max2.133GHz
Clock Frequency2.133GHz
Access Time25ns
Supply Voltage Min1.7V
Supply Voltage Max1.95V
Supply Voltage Nom1.8V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
Flash Memory Type
NAND with Mobile LPDDR
Memory Size
4Gbit
Flash Memory Configuration
512M x 8bit
Interfaces
Parallel
Memory Case Style
WFBGA
Clock Frequency Max
2.133GHz
Access Time
25ns
Supply Voltage Max
1.95V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Memory Density
4Gbit
Memory Configuration
512M x 8bit
IC Interface Type
Parallel
IC Case / Package
WFBGA
No. of Pins
149Pins
Clock Frequency
2.133GHz
Supply Voltage Min
1.7V
Supply Voltage Nom
1.8V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto