Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT29F4G08ABAFAWP-AAT:FCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark80AH7783
Gama de produtos3.3V Parallel NAND Flash Memories
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Avise-me quando houver novamente em estoque
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 50.130 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 50.13
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT29F4G08ABAFAWP-AAT:FCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark80AH7783
Gama de produtos3.3V Parallel NAND Flash Memories
Ficha técnica
Flash Memory TypeSLC NAND
Memory Density4Gbit
Memory Size4Gbit
Memory Configuration512M x 8bit
Flash Memory Configuration512M x 8bit
IC Interface TypeParallel
InterfacesParallel
IC Case / PackageTSOP
Memory Case StyleTSOP
No. of Pins48Pins
Clock Frequency50MHz
Clock Frequency Max50MHz
Access Time-
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max-
Supply Voltage Nom3.3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Descrição geral do produto
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F is a NAND flash memory. This NAND flash device includes an asynchronous data interface for high-performance I/O operations. This device uses a highly multiplexed 8-bit bus (I/Ox) to transfer commands, address, and data. A target is the unit of memory accessed by a chip enable signal. A target contains one or more NAND flash dies. A NAND flash die is the minimum unit that can independently execute commands and report status.
- Open NAND flash interface (ONFI) 1.0-compliant
- Single-level cell (SLC) technology
- Command set: ONFI NAND flash protocol
- Operation status method for detecting: operation completion
- Pass/fail condition, write-protect status
- Ready/Busy# (R/B#) signal provides a hardware method of detecting operation completion
- RESET (FFh) required after power-on
- Internal data move operations supported within the plane from which data is read
- 4Gb density, 8-bit device width, 3.3V (2.7 to 3.6V) operating voltage range
- 48-pin TSOP type 1 package, automotive temperature range from -40°C to +105°C
Especificações Técnicas
Flash Memory Type
SLC NAND
Memory Size
4Gbit
Flash Memory Configuration
512M x 8bit
Interfaces
Parallel
Memory Case Style
TSOP
Clock Frequency
50MHz
Access Time
-
Supply Voltage Max
-
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Memory Density
4Gbit
Memory Configuration
512M x 8bit
IC Interface Type
Parallel
IC Case / Package
TSOP
No. of Pins
48Pins
Clock Frequency Max
50MHz
Supply Voltage Min
-
Supply Voltage Nom
3.3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
