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FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT29F4G08ABADAH4-AATX:DCópia
Código Newark80AH7766
Gama de produtos3.3V Parallel NAND Flash Memories
Seu número de peça
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT29F4G08ABADAH4-AATX:DCópia
Código Newark80AH7766
Gama de produtos3.3V Parallel NAND Flash Memories
Ficha técnica
Flash Memory TypeSLC NAND
Memory Size4Gbit
Memory Density4Gbit
Memory Configuration512M x 8bit
Flash Memory Configuration512M x 8bit
InterfacesParallel
IC Interface TypeParallel
Memory Case StyleVFBGA
IC Case / PackageVFBGA
No. of Pins63Pins
Clock Frequency50MHz
Clock Frequency Max50MHz
Access Time16ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3.3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
Flash Memory Type
SLC NAND
Memory Density
4Gbit
Flash Memory Configuration
512M x 8bit
IC Interface Type
Parallel
IC Case / Package
VFBGA
Clock Frequency
50MHz
Access Time
16ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Memory Size
4Gbit
Memory Configuration
512M x 8bit
Interfaces
Parallel
Memory Case Style
VFBGA
No. of Pins
63Pins
Clock Frequency Max
50MHz
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3.3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3.3V Parallel NAND Flash Memories
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto
