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MT25QL01GBBB1EW9-0SIT
Flash Memory, Serial NOR, 1 Gbit, 256M x 4bit, SPI, WPDFN-EP, 8 Pins
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FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT25QL01GBBB1EW9-0SITCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark83AH2705
Gama de produtos3V Serial NOR Flash Memories
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 42 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1920+ | $ 113.180 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1920
Vários: 1920
$ 217,305.60
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Informação do produto
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT25QL01GBBB1EW9-0SITCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark83AH2705
Gama de produtos3V Serial NOR Flash Memories
Ficha técnica
Flash Memory TypeSerial NOR
Memory Density1Gbit
Memory Size1Gbit
Flash Memory Configuration256M x 4bit
Memory Configuration256M x 4bit
IC Interface TypeSPI
InterfacesSPI
Memory Case StyleWPDFN
IC Case / PackageWPDFN
No. of Pins8Pins
Clock Frequency Max133MHz
Clock Frequency133MHz
Access Time-
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Serial NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Descrição geral do produto
MT25QL01GBBB1EW9-0SIT is a serial NOR flash memory. The MT25Q is a high-performance multiple input/output serial flash memory device. It features a high-speed SPI-compatible bus interface, execute-in-place (XIP) functionality, advanced write protection mechanisms, and extended address access. Innovative, high-performance, dual and quad input/output commands enable double or quadruple the transfer bandwidth for READ and PROGRAM operations.
- SPI-compatible serial bus interface, single and double transfer rate (STR/DTR)
- Dual/quad I/O commands for increased throughput up to 90MB/s
- Execute-in-place (XIP), PROGRAM/ERASE SUSPEND operation, volatile/non-volatile configuration setting
- Additional reset pin for selected part numbers
- Erase performance: 400KB/sec (64KB sector), erase performance: 80KB/sec (4KB sub-sector)
- JESD47H-compliant: min, 100,000 ERASE cycles per sector, data retention: 20 years (TYP)
- 2.7 to 3.6V voltage rating, 64KB sectors, 4KB and 32KB subsectors
- 1Gb (128MB) density
- 8-pin W-PDFN package
- Operating temperature range from -40°C to +85°C
Especificações Técnicas
Flash Memory Type
Serial NOR
Memory Size
1Gbit
Memory Configuration
256M x 4bit
Interfaces
SPI
IC Case / Package
WPDFN
Clock Frequency Max
133MHz
Access Time
-
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Memory Density
1Gbit
Flash Memory Configuration
256M x 4bit
IC Interface Type
SPI
Memory Case Style
WPDFN
No. of Pins
8Pins
Clock Frequency
133MHz
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto