Imprimir página
VP3203N3-G
Power MOSFET, Enhanced-Mode, P Channel, 30 V, 650 mA, 0.6 ohm, TO-92, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteVP3203N3-GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante6 semanas
Código Newark47Y0462
Seu número de peça
710 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.910 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.91
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteVP3203N3-GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante6 semanas
Código Newark47Y0462
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id650mA
Drain Source On State Resistance0.6ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation740mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.
- Suitable applications: Motor controls, converters, amplifiers, switches, power supply circuits and drivers (relays, hammers, solenoids etc.)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
650mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
740mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos