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TP0606N3-G
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 320 mA, 3.5 ohm, TO-92, Through Hole
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FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteTP0606N3-GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante5 semanas
Código Newark53Y4265
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.090 |
| 10+ | $ 0.960 |
| 100+ | $ 0.830 |
| 500+ | $ 0.813 |
| 1000+ | $ 0.797 |
| 2500+ | $ 0.780 |
| 10000+ | $ 0.764 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.09
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Informação do produto
FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteTP0606N3-GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante5 semanas
Código Newark53Y4265
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id320mA
On Resistance Rds(on)3ohm
Drain Source On State Resistance3.5ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation1W
Power Dissipation Pd1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para TP0606N3-G
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Descrição geral do produto
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown
- Suitable for logic level interfaces (ideal for TTL and CMOS), solid state relays, battery operated systems, photo voltaic drives, analogue switches etc..
- Low threshold (-2.4V max.)
- High input impedance
- Low input capacitance (80pF typ.)
- Fast switching speeds
- Low on-resistance
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakage
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
3ohm
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
320mA
Drain Source On State Resistance
3.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation Pd
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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