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TN2106N3-G
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 500 mA, 2.5 ohm, TO-92, Through Hole
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FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteTN2106N3-GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark53Y4243
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719 Em Estoque
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a partir do armazém dos EUA
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.666 |
| 10+ | $ 0.593 |
| 100+ | $ 0.520 |
| 500+ | $ 0.510 |
| 1000+ | $ 0.499 |
| 2500+ | $ 0.489 |
| 10000+ | $ 0.478 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.67
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Informação do produto
FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteTN2106N3-GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark53Y4243
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance2.5ohm
On Resistance Rds(on)2.5ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation740mW
Power Dissipation Pd740mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para TN2106N3-G
1 produto encontrado
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2.5ohm
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
740mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
On Resistance Rds(on)
2.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation Pd
740mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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