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MSC080SMA120B
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteMSC080SMA120BCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark29AK2560
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 13.180 |
| 10+ | $ 12.670 |
| 25+ | $ 12.150 |
| 50+ | $ 11.040 |
| 100+ | $ 9.930 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteMSC080SMA120BCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark29AK2560
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation Pd200W
Power Dissipation200W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
MSC080SMA120B is a 1200V, 80mohm silicon carbide (SiC) power MOSFET in a 3-lead TO-247 package. It delivers high efficiency with low switching and conduction losses, fast switching speed, and robust avalanche performance. Designed for high-power and high-temperature applications, it is ideal for use in EV chargers, solar inverters, motor drives, and industrial power supplies.
- Low on-resistance RDS(on) reduces conduction losses, improving efficiency and thermal performance
- Supports high-frequency operation for smaller magnetics, higher power density, and lower cost
- Superior avalanche ruggedness and short-circuit withstand time
- HV-H3TRB proven capability ensures long-term reliability in high humidity environments
- Lower VGS and standard package enables improved compatibility with standard gate drivers
- Increased creepage distance (notch) improves safety and reliability in high-voltage designs
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation
200W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
37A
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
200W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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