DN2450K4-G
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 350 mA, 10 ohm, TO-252AA, Surface Mount
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 2000 | $ 0.690 | $ 1,380.00 |
| Total Preço | $ 1,380.00 | ||
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 50+ | $ 0.690 |
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.649 |
Informação do produto
Descrição geral do produto
The DN2450K4-G is a N-channel depletion-mode vertical DMOS FET utilizes an advanced vertical diffusion metal oxide semiconductor (DMOS) structure and a well proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power-handling capabilities of bipolar transistors, plus the high-input impedance and positive-temperature coefficient inherent in metal-oxide semiconductor (MOS) devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The low threshold normally-on DMOS field-effect transistor (FET) is ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where a very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds are desired.
- Low ON-resistance
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakages
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
N Channel
500V
10ohm
TO-252AA
0V
-
3Pins
-
MSL 3 - 168 hours
N Channel
350mA
7ohm
Surface Mount
2.5W
2.5W
150°C
-
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (3)
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Legislação e Ambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidade do produto