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IXTP3N50D2
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXTP3N50D2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark03AH1675
Seu número de peça
166 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.100 |
| 10+ | $ 5.130 |
| 25+ | $ 4.160 |
| 50+ | $ 3.200 |
| 100+ | $ 2.910 |
| 500+ | $ 2.490 |
| 1000+ | $ 2.390 |
| 2500+ | $ 2.340 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.10
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXTP3N50D2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark03AH1675
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
On Resistance Rds(on)1.5ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
On Resistance Rds(on)
1.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos