Imprimir página
IXTK110N20L2
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 110 A, 0.024 ohm, TO-264, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXTK110N20L2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark03AH1553
Gama de produtosLinearL2 Series
Seu número de peça
11 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 34.090 |
| 5+ | $ 31.530 |
| 10+ | $ 29.820 |
| 25+ | $ 28.440 |
| 100+ | $ 27.410 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 34.09
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXTK110N20L2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark03AH1553
Gama de produtosLinearL2 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation960W
Power Dissipation Pd960W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeLinearL2 Series
MSL-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
N-channel enhancement mode guaranteed FBSOA avalanche rated LinearL2™ power MOSFET w/extended FBSOA. Suitable for use in solid state circuit breakers, soft start controls, linear amplifiers, programmable loads and current regulators applications.
- Designed for linear operation
- Guaranteed FBSOA at 75°C
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
960W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
960W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
LinearL2 Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos