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IXTH8P50
Power MOSFET, P Channel, 500 V, 8 A, 1.2 ohm, TO-247, Through Hole
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXTH8P50Cópia
Código Newark03AH1537
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation180W
Power Dissipation Pd180W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Alternativas para IXTH8P50
1 produto encontrado
Descrição geral do produto
P-channel enhancement mode avalanche rated standard power MOSFET suitable for use in high-side switches, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment applications.
- Low RDS(ON) HDMOS™ process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low package inductance (<lt/> 5nH)- easy to drive and to protect
- Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
- Space savings
- High power density
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
180W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
180W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Rastreabilidade de produtos