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IXTA08N100D2
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263AA, Surface Mount
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXTA08N100D2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark03AH1248
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19 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.090 |
| 10+ | $ 3.480 |
| 25+ | $ 2.870 |
| 50+ | $ 2.270 |
| 100+ | $ 2.110 |
| 500+ | $ 1.590 |
| 1000+ | $ 1.520 |
| 2500+ | $ 1.490 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.09
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXTA08N100D2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark03AH1248
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source On State Resistance21ohm
On Resistance Rds(on)21ohm
Transistor Case StyleTO-263AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation60W
Power Dissipation Pd60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
21ohm
Transistor Case Style
TO-263AA
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
60W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
On Resistance Rds(on)
21ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Power Dissipation Pd
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos