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IXSH65N120L2KHV
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, TO-247
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXSH65N120L2KHVCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark10AN0365
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450 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 11.280 |
| 25+ | $ 10.870 |
| 100+ | $ 9.720 |
| 250+ | $ 9.170 |
| 500+ | $ 8.420 |
| 1000+ | $ 8.110 |
| 2500+ | $ 7.680 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 11.28
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXSH65N120L2KHVCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark10AN0365
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation375W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
65A
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
375W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:A ser informado
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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