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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXSA65N120L2-7TRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida10AN0362RL
Segmento de fita10AN0362
Seu número de peça
800 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 12.630 | $ 12.63 |
| Total Preço | $ 12.63 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 12.630 |
| 10+ | $ 12.190 |
| 25+ | $ 11.570 |
| 50+ | $ 11.090 |
| 100+ | $ 10.200 |
| 250+ | $ 9.540 |
| 500+ | $ 8.100 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXSA65N120L2-7TRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida10AN0362RL
Segmento de fita10AN0362
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.053ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation417W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
65A
Drain Source On State Resistance
0.053ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
417W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:A ser informado
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
