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IXFX230N20T
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 230 A, 0.0075 ohm, PLUS247, Through Hole
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFX230N20TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark03AH0988
Gama de produtosGigaMOS Series
Seu número de peça
10 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 29.070 |
| 5+ | $ 26.480 |
| 10+ | $ 23.900 |
| 25+ | $ 21.300 |
| 100+ | $ 18.720 |
| 500+ | $ 18.140 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 29.07
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFX230N20TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark03AH0988
Gama de produtosGigaMOS Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id230A
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Transistor Case StylePLUS247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.67kW
Power Dissipation Pd1.67kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product RangeGigaMOS Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Transistor Case Style
PLUS247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.67kW
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
230A
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
1.67kW
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
GigaMOS Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos