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IXFX100N65X2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 100 A, 30 mohm, PLUS247, Through Hole
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFX100N65X2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark03AH0971
Gama de produtosX2-Class HiPerFET Series
Seu número de peça
208 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 18.530 |
| 5+ | $ 16.940 |
| 10+ | $ 15.350 |
| 25+ | $ 13.760 |
| 100+ | $ 12.590 |
| 500+ | $ 12.400 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 18.53
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFX100N65X2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark03AH0971
Gama de produtosX2-Class HiPerFET Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance30mohm
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Transistor Case StylePLUS247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.04kW
Power Dissipation Pd1.04kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeX2-Class HiPerFET Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Case Style
PLUS247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.04kW
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
1.04kW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
X2-Class HiPerFET Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos