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IXFT170N25X3HV
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 170 A, 0.0074 ohm, TO-268HV, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFT170N25X3HVCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark03AH0929
Gama de produtosX3-Class HiPerFET Series
Seu número de peça
297 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 26.960 |
| 5+ | $ 24.530 |
| 10+ | $ 22.100 |
| 25+ | $ 19.670 |
| 50+ | $ 17.240 |
| 100+ | $ 16.100 |
| 250+ | $ 15.120 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 26.96
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFT170N25X3HVCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark03AH0929
Gama de produtosX3-Class HiPerFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id170A
Drain Source On State Resistance0.0074ohm
On Resistance Rds(on)0.0074ohm
Transistor Case StyleTO-268HV
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd890W
Power Dissipation890W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeX3-Class HiPerFET Series
MSL-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, PFC circuits, robotics and servo controls application.
- X3-Class HiPerFET™ power MOSFET
- Low RDS(ON) and QG
- Low package inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.0074ohm
Transistor Case Style
TO-268HV
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
890W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
170A
On Resistance Rds(on)
0.0074ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
890W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
X3-Class HiPerFET Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos