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IXFH16N50P
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 16 A, 400 mohm, TO-247, Through Hole
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFH16N50PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark03AH0537
Gama de produtosPolar HiPerFET Series
Seu número de peça
286 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.680 |
| 10+ | $ 5.740 |
| 25+ | $ 4.800 |
| 50+ | $ 3.860 |
| 100+ | $ 3.550 |
| 250+ | $ 3.240 |
| 500+ | $ 3.180 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.68
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFH16N50PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark03AH0537
Gama de produtosPolar HiPerFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id16A
On Resistance Rds(on)0.4ohm
Drain Source On State Resistance400mohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation Pd300W
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangePolar HiPerFET Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.4ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
300W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Drain Source On State Resistance
400mohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
Polar HiPerFET Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos