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IXTX90N25L2
Power MOSFET, Linear L2™, N Channel, 250 V, 90 A, 33 mohm, PLUS247, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTX90N25L2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark83R9998
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 28 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 38.200 |
| 5+ | $ 36.430 |
| 10+ | $ 34.650 |
| 25+ | $ 32.880 |
| 60+ | $ 31.110 |
| 120+ | $ 30.070 |
| 270+ | $ 29.030 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 38.20
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTX90N25L2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark83R9998
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance33mohm
On Resistance Rds(on)0.033ohm
Transistor Case StylePLUS247
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd960W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation960W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
33mohm
Transistor Case Style
PLUS247
Power Dissipation Pd
960W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
On Resistance Rds(on)
0.033ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
960W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto
