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IXTX32P60P
MOSFET, P-CH, 600V, 32A, PLUS247
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTX32P60PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark71AH4597
Gama de produtosPolarP
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 26.260 |
| 5+ | $ 23.910 |
| 10+ | $ 21.550 |
| 25+ | $ 19.200 |
| 50+ | $ 16.840 |
| 100+ | $ 15.810 |
| 250+ | $ 14.780 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTX32P60PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark71AH4597
Gama de produtosPolarP
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id32A
On Resistance Rds(on)0.35ohm
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StylePLUS247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd890W
Power Dissipation890W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolarP
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.35ohm
Transistor Case Style
PLUS247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
890W
No. of Pins
3Pins
Product Range
PolarP
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
32A
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
890W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (12-Jan-2017)
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Certificado de conformidade do produto
