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IXTP50N20P
MOSFET, N-CH, 200V, 50A, TO-220
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTP50N20PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark71AH4585
Gama de produtosPolarHT
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 28 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.590 |
| 10+ | $ 5.550 |
| 25+ | $ 4.510 |
| 50+ | $ 3.480 |
| 100+ | $ 3.230 |
| 250+ | $ 3.070 |
| 500+ | $ 3.020 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.59
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTP50N20PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark71AH4585
Gama de produtosPolarHT
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation360W
Power Dissipation Pd360W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePolarHT
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360W
No. of Pins
3Pins
Product Range
PolarHT
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
360W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (12-Jan-2017)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
