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IXTP4N65X2
Power MOSFET, X2-Class, N Channel, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTP4N65X2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark02AC9842
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.570 |
| 10+ | $ 3.810 |
| 25+ | $ 3.060 |
| 50+ | $ 2.300 |
| 100+ | $ 2.090 |
| 250+ | $ 1.910 |
| 500+ | $ 1.870 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTP4N65X2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark02AC9842
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.85ohm
On Resistance Rds(on)0.85ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd80W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation80W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
80W
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
80W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Documentação técnica (2)
Alternativas para IXTP4N65X2
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (17-Jan-2023)
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